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产品型号：EDi-5308
更新时间：2025-04-24
厂商性质：经销商
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原装新品：日本ORC光刻系统EDi系列EDi-5308
原装新品：日本ORC光刻系统EDi系列EDi-5308
兼容多种应用：可兼容 WL-CSP、IGBT、CIS 等 6/8/12 英寸光刻技术，适用于多种半导体制造场景。
宽频谱光刻：具备宽带曝光功能，可根据配方自动切换 GHI 线、GH 线、I 线，满足不同光刻工艺对波长的需求。
可变数值孔径：搭载可变 NA 功能，数值孔径可在 0.16 和 0.1 之间变化，能够根据不同的光刻精度要求进行调整。
多场拼接设计：最多支持 8 场光罩设计格式，可实现较大面积的光刻图案制作。
光学系统保护：能保护光学元件免受周围环境中的阻滞气体和化学物质的影响，提高设备的稳定性和使用寿命。
主要参数：晶圆尺寸为 6/8/12 英寸，分辨率为 2.0μmL/s（2.0μm 抗蚀剂厚度），减速比为 1:1，字段大小为 52 毫米 ×33 毫米，光罩尺寸为 6 寸，叠加精度≦0.5 微米（|Ave|+3σ）。
工作原理：利用特定光源发出的光，通过具有图形的光罩对涂有光刻胶的硅片进行曝光，光刻胶见光后发生性质变化，从而将光罩上的图形复印到硅片上，使硅片具备电子线路图的功能。
核心系统：光源系统：是光刻机的核心之一，其波长直接决定光刻精度。早期采用汞灯，如 g - line（436nm）和 i - line（365nm），可满足 800 - 250nm 制程芯片生产。之后准分子激光光源兴起，如第三代光刻机用 248nm 的 KrF 准分子激光，可用于 180 - 130nm 工艺节点；第四代用 193nm 的 ArF 准分子激光，配合浸没式技术、双图形技术等，可应用于 10nm 节点量产。目前的是采用 13.5nm 极紫外光（EUV）的第五代光刻机。
光刻物镜系统：保证光源精准成像在晶圆表面的关键组件。随着技术发展，投影物镜结构更复杂、尺寸增大，工作波长多处于紫外波段，如 KrF（248nm）、ArF（193nm）和 EUV（13.5nm）。
双工作台系统：由测量台与曝光台组成，一个工作台曝光时，另一个可进行晶圆的装载、卸载和对准等操作，提高了光刻机的产能。
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