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开滋KITZ 原装 超高纯流体控制隔膜阀
产品简介:

开滋KITZ 原装 超高纯流体控制隔膜阀
​专为超高纯液体(如半导体 TEOS)控制设计。内部流道 Ra≤0.125μm,确保流体纯度。核心优势为用户可自行更换阀座与隔膜,显著降低维护成本。技术参数:1/4“ F-CVC 连接,Cv 值 0.23,工作压力 0.98MPa,工作温度 - 10℃至 80℃。符合 SEMI 标准,适配半导体、FPD、LED 等精密制造,实现精准流量控制与零泄漏。

产品型号:WD4CS-VFC

更新时间:2026-02-02

厂商性质:经销商

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开滋KITZ 原装 超高纯流体控制隔膜阀

专为超高纯液体(如半导体 TEOS)控制设计。内部流道 Ra≤0.125μm,确保流体纯度。核心优势为用户可自行更换阀座与隔膜,显著降低维护成本。技术参数:1/4" F-CVC 连接,Cv 值 0.23,工作压力 0.98MPa,工作温度 - 10℃至 80℃。符合 SEMI 标准,适配半导体、FPD、LED 等精密制造,实现精准流量控制与零泄漏,是超高纯流体系统的可靠选择。

开滋KITZ 原装 超高纯流体控制隔膜阀

是日本开滋(KITZ)专为超高纯流体控制系统研发的核心部件,主打可重建型气动控制,广泛适配半导体、FPD、LED等精密制造领域,用于TEOS等超高纯液体的精准输送与控制,凭借严苛的材质标准、精密的结构设计和稳定的性能表现,成为超高纯工况下的优选阀门产品,全程保障流体纯度与工艺稳定性。

材质方面,该阀门采用EP级电解抛光316L不锈钢阀体,选用超低非金属夹杂物的优质原材料,经专业电解抛光工艺处理后,阀体内表面粗糙度Ra≤0.125μm,部分区域可达到Ra0.1μm以下,能有效减少流体残留与颗粒吸附,避免污染超高纯介质,同时显著提升钝化膜稳定性,增强阀体抗点蚀能力,适配各类腐蚀性超高纯流体工况。密封系统采用镍钴合金隔膜搭配PCTFE密封材质,成型工艺,个体差异小,脱气率低、耐腐蚀强,可实现严格的零泄漏控制,外部泄漏量达1.0×10^-10Pa・m³/sec以下,内部泄漏量达1.0×10^-9Pa・m³/sec以下。

结构设计上,WD4CS-VFC采用可重建型结构,核心优势的是用户可自行拆卸更换阀座与隔膜,无需整体拆解阀体,大幅缩短维护时间、降低维护成本,区别于KD、VLD等不可重建型系列,更具经济性与实用性。阀体采用紧凑直通式设计,1/4" F-CVC(母头VCR)标准连接方式,1/4"CVC规格内容积约1.36cm³,可大幅提升气体置换效率,减少残留介质对工艺的干扰;配备90°带锁旋钮,操作便捷且能有效防误触,契合工业安全生产规范。

核心技术参数精准适配超高纯工况:驱动方式为气动常闭(NC),Cv值0.23,流量控制精准稳定;工作压力0.98MPa,工作温度范围-10℃至80℃,环境温度范围-10℃至60℃,可满足多数常温低压超高纯流体控制需求;产品严格遵循SEMI标准与ROHS环保指令,生产、清洗、包装全程在超洁净环境下完成,经十余项质量检测,确保产品洁净度与性能一致性。

产品优势突出,除可重建、零泄漏、高洁净三大核心特点外,还具备优异的化学兼容性,能适配半导体制造中各类超高纯试剂与气体,保障制程纯度,提升芯片良率;紧凑的结构设计可节省安装空间,适配精密设备的集成安装;日本品质,质量稳定可靠,使用寿命长,能有效减少设备停机频次,降低生产损耗。

适用场景主要集中在超高纯流体控制领域,包括半导体晶圆制造、FPD液晶面板生产、LED芯片制造等行业,可用于超高纯液体、气体的输送与控制,也可适配医疗制药领域的高纯度试剂输送,契合GMP认证标准。购买时需确认完整型号(含材质、连接方式),建议通过开滋代理商采购,确保原装与专业售后支持。

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